单片机片内存储器烧写

程序存储器。当片内的Flash存储器满足要求时,不必扩展外部程序存储器。下面讨论如何把已经调试完毕的程序写入AT89S51单片机中的片内Flash存储器。 AT89S51单片机片内4KB的Flash存储器的特点:可擦写寿命10,000次数据保存时间10年最大读取时间150ns,页编程时间10ns具有3级加密算法,使得AT89S系列单片机的解密变得不可能,程序的加密性大大加强AT89S51出厂时...

http://www.eeworld.com.cn/mcu/article_2018050539003.html 发布时间: 2018-05-05



自带“空调”电子元件可耐340℃高温

。工程师们往往依赖于冷却系统来进行降温,这样会大幅增加成本和能耗,降低可靠性。由于具备超小的尺寸,极快的擦写速度,超高的擦写寿命,多阻态开关特性和良好的CMOS兼容性等优势,忆阻器被业内视为未来存储技术和未来人工智能(神经形态计算)硬件技术的重要候选者。目前,这项研究已申请国内外专利。...

http://www.eeworld.com.cn/afdz/article_2018022711601.html 发布时间: 2018-02-27



提高MSP430G系列单片机的Flash 擦写寿命的软件流程

易失性数据,但是由于Flash 与EEPROM 在擦写寿命上存在一定差距,所以在实际应用中,这种应用方式并不能够满足所有客户的需求。本应用笔记介绍了使用代码区域Flash 来模拟EEPROM,通过一定的软件处理算法,可以大大增加数据存储周期的一种方法。本文给出了实现上述功能的软件流程。    1. 嵌入式Flash 存储介质与EEPROM 的主要特性对比 ...

http://www.eeworld.com.cn/mcu/article_2018021337774.html 发布时间: 2018-02-13



TI--M4内部EEPROM详解

; EEPROMRead(pulRead, 0x400, sizeof(pulRead));        while(1)     {     } TI--M4内部EEPROM详解 M4内部的EEPROM是不是DataFlash?:time:它的擦写寿命和flash一样吗?是不是相当于把flash分了一个区,做非易失性数据...

http://bbs.eeworld.com.cn/thread-611840-1-1.html 发布时间: 2018-01-28



NOR Flash市场缺货?融创芯城签约博雅科技,找料不难!

优势明显。 1 芯片优势 >>宽工作电压:2.7V-3.6V >>高可靠性:数据保持 时间20年,擦写寿命10万次 >>小型化封装:SOP8(208mil),SOP8(150mil),USON8(2*3mm) >>安全特性:硬件写保护,3*256-Byte安全扇区,64bit UID >>差异化:原厂支持提供差异化功能定制开发...

http://bbs.eeworld.com.cn/thread-610202-1-1.html 发布时间: 2018-01-18



msp430提高flash使用寿命的例程代码

又看到一篇TI的文章,关于《 提高 MSP430G 系列单片机的 Flash 擦写寿命的方法》 的 ,不知道哪里能找到相关的代码呢? msp430提高flash使用寿命的例程代码 其实可以外扩个256K的EEPROM [quote][size=2][url=forum.php?mod=redirect&goto=findpost&pid=2308121&ptid=609504][color...

http://bbs.eeworld.com.cn/thread-609504-1-1.html 发布时间: 2018-01-12



ARM平台数据突然丢失的原因是什么

擦写寿命达10万次,EMMC的块擦写最高也会有1万次;同理,EEPROM、SD卡、CF卡、U盘、Flash硬盘等存储介质在都存在写寿命的问题。在文件系统向写数据的底层存储器块写数据时,常规会先将块里的数据读出来,擦除块干净后,将需要写入的数据和之前读出来的块数据一起在回写到存储器里面去,如果文件系统写平衡没有处理好,特别是要求1分钟以内要记录一次数据这样频繁的擦写块操作,就有可能将Nand-Flash...

http://www.eeworld.com.cn/qrs/article_2017123042940.html 发布时间: 2017-12-30



ARM平台数据为何会莫名其妙丢失

。器件数据手册中通常描述Nand-Flash的块擦写寿命达10万次,EMMC的块擦写最高也会有1万次;同理,EEPROM、SD卡、CF卡、U盘、Flash硬盘等存储介质在都存在写寿命的问题。在文件系统向写数据的底层存储器块写数据时,常规会先将块里的数据读出来,擦除块干净后,将需要写入的数据和之前读出来的块数据一起在回写到存储器里面去,如果文件系统写平衡没有处理好,特别是要求1分钟以内要记录一次数据...
关键词: ARM

http://www.eeworld.com.cn/qrs/article_2017122842790.html 发布时间: 2017-12-28



嵌入式存储器的前世今生,作为电子工程师的你知道吗?

的30倍,同时其擦写寿命也是闪存的10倍。PRAM的最大优点是高效能和低耗电。  RRAM具有与CMOS工艺兼容性好、低功耗、易于随先进工艺微缩等优点受到广泛关注。总结这几种新式存储器优缺点如下表所示。    表一 几种存储器性能对比  新型存储器挑战  FRAM目前作为新型存储器的主要问题是铁电薄膜材料。未来发展需要解决的主要难题:一是采用3D结构缩小单元面积提高集成度;二是提高铁电薄膜特性...
关键词: 嵌入式存储器

http://www.eeworld.com.cn/qrs/article_2017122142547.html 发布时间: 2017-12-21



HardFault_Handler异常

是用在一款:可导出数据至U盘的温湿度计上面的,温湿度数据存储在25Q16上,而我的25Q16数据存储是按照4096Byte为存储单元存的,因此有一个读取25Q16的4096字节的数组。还有一个1024Byte的数组是用作CH376的写入缓存,写入数据累积满整数个扇区(512字节的整数倍)再写入CH376可以大幅提升U盘的读写效率以及节约擦写寿命。 [quote][size=2][url...

http://bbs.eeworld.com.cn/thread-576164-1-1.html 发布时间: 2017-11-07



SD卡写入寿命有多久?

=2265022&ptid=573612][color=#999999]sanhuasr 发表于 2017-11-17 20:48[/color][/url][/size] 是说同一个扇区可擦写次数,SD卡算闪存吗?不考虑振动、温度等外界因素,[/quote] SD卡就是闪存做的。 正如“白丁”版主所说,nand flash有SLC MLC和TLC之分,擦写寿命就不一样了。SLC (单层单元...

http://bbs.eeworld.com.cn/thread-573612-1-1.html 发布时间: 2017-10-31



STM32学习014_STC89C51RC

(6T模式含义--6个时钟周期就是一个机器周期)。STC89C52RC是宏晶公司的增强型MCS-51单片机,与Atmel公司的AT89C52相比,有以下优点:支持STC的2线制下载方式,下载程序更方便支持6T模式(在6T模式下,6个时钟周期就是一个机器周期)片内集成了4kB容量的EEPROM带有P4口,具有更多的I/O程序存储器拥有更多的擦写寿命(STC标称可以擦写10万次,Atmel标称可以擦写...
关键词: STM32 STC89C51RC

http://www.eeworld.com.cn/mcu/article_2017102635343.html 发布时间: 2017-10-26



2017年内存市场波涛汹涌,缺货疑云持续笼罩整体供应链

死亡,其上所存储的数据也会完全消失(图3)。图3 NAND需要一定厚度的绝缘体来确保抹写的正常及预防讯号干扰,但制程的微缩使得绝缘层过薄,导致NAND的寿命缩减。数据源:文档之家随着制程的微缩,绝缘层的厚度也会跟着被「微缩」,3xnm MLC的CELL擦写寿命可能有五千次左右,但微缩到1xnm,可能就剩下不到一千次,现在移动设备和低价主流SSD存储所使用的TLC NAND, 因为原始结构设计中...
关键词: 供应链

http://www.eeworld.com.cn/xfdz/article_2017101774261.html 发布时间: 2017-10-17



嵌入式存储器的过去与现在

;图五 RRAM器件结构图哪种存储会是未来的选择?FRAM的读写速度主要取决于铁电材料的极化反转特性,根据目前理论极化反转速度可达到皮秒量级。MRAM利用磁性存储数据,容量成本低,具有低功耗、高速存取、无限次读写、抗辐射能力强等优点,在军事、航空航天、移动通讯等领域的应用有很大优势。PRAM被认为是FLASH和DRAM的替代者,读写速度是普通闪存的30倍,同时其擦写寿命也是闪存的10倍。PRAM...

http://www.eeworld.com.cn/qrs/article_2017062235347.html 发布时间: 2017-06-22



stm32内存压力测试

只要在器件手册载明的工作温度范围内,随你怎么对内存读写多少次都决不可能出错。甚至别说ST这样的大公司了,就是国内的山寨厂也不会有问题,内存存在质量问题在本质上就是一件微小概率事件,且跟温度(器件准许的范围内)无关。不过,可别把FLASH程序存储器当成“内存”了,完全不同的概念,内存是RAM,而FLASH有擦写寿命限制。 [quote][size=2][url=forum.php?mod...
关键词: 压力测试

http://bbs.eeworld.com.cn/thread-535698-1-1.html 发布时间: 2017-06-09



赛普拉斯与上海华力微电子共同宣布基于SONOS技术的55纳米低

需要9至12层额外的掩膜不同,SONOS技术只需要在原有CMOS工艺上增加3层。SONOS本身具有高良率和极佳的可靠性、10年的数据保持、20万次编程/擦写寿命,以及强大的抗软错误能力。赛普拉斯已经展示了将SONOS延伸到40纳米和28纳米节点的能力,以加速未来IP的开发。华力副总裁舒奇表示:“物联网应用对低成本、低功耗嵌入式闪存的需求不断提升,我们非常高兴能够达到这个里程碑,同时我们也希望能够实现...

http://www.eeworld.com.cn/manufacture/article_2017041713599.html 发布时间: 2017-04-17



DDR技术专题一

、128GB等)。 常见应用: FLASH——一种闪存,结合EPROM与E2PROM达到的,属于E2PROM的改进产品,特点容量较大,按块(Block)擦写,区块的大小跟厂家规格类似,擦写寿命有限估计上万次(像监控产品一般都有128MB-Flash)。 常特指Nand Flash即缓存(还有NOR Flash),掉电后内部存储文件不丢失,一般用来存储软件程序(用于设备版本更新...

http://home.eeworld.com.cn/my/space-uid-757219-blogid-460463.html 发布时间: 2017-03-06



AVR 单片机与GCC 编程使用方法

,I/O 寄存器占用接下来的64 个地址。从0X0060 开始为内部SRAM。外部SRAM 被编址到内部SRAM 后。 AVR 单片机的内部有64~4K 的EEPROM 数据存储器,它们被独立编址,按字节组织。擦写寿命可达100,000 次。 2.2 I/O 寄存器操作 I/O 专用寄存器(SFR)被编址到与内部SRAM 同一个地址空间,为此对它的操作和SRAM 变量操作类似。 SFR 定义...
关键词: AVR 单片机 GCC

http://www.eeworld.com.cn/mcu/article_2016102130683.html 发布时间: 2016-10-21



SST25VF080B SPI接口FLASH STM32驱动

所有的FLASHA 都一样只能从1变0,要想从0变1 只有擦除一个页扇, SST25VF080B 最小可以擦除4KB的页 速度也不错 50MHz 容量1MB 挺够用的 10万次的擦写寿命。最低2.7V 就可正常工作。 Flexible Erase Capability – Uniform 4 KByte sectors – Uniform 32...

http://www.eeworld.com.cn/mcu/article_2016100430025.html 发布时间: 2016-10-04



[转]我就不告诉你SSD的这些事儿!

的。除非质量问题否则不会出现寿命问题的。截取一个上的表格就可以看出三种闪存的差距: SLC = Single-Level Cell ,即1bit/cell,速度快寿命长,价格超贵(约MLC 3倍以上的价格),约10万次擦写寿命   MLC =Multi-Level Cell,即2bit/cell,速度一般寿命一般,价格一般,约3000---10000次擦写寿命   TLC...

http://home.eeworld.com.cn/my/space-uid-346593-blogid-437718.html 发布时间: 2016-10-02




<上一页 1234567 下一页> 相关结果约124个