SSD价格松动,但固态硬盘真的能解决一切吗?

还有两大硬伤:1.稳定性。SSD固件BUG带来的暴击,想必不少人有过切肤之痛。而且固态硬盘还有断电就丢数据的特质,是不是也让你在每一次蓝屏和非正常关机时,都想吐血数升。2.擦写寿命。目前市面上的固态盘多为TLC颗粒,擦写次数在2000次左右,仅有三五年的使用寿命。一旦寿终正寝,存于其中的数据则几乎不能找回。而机械硬盘则没有这方面的顾虑。正是因为SSD在容量和稳定性等方面的缺憾,使得目前大部分人...

http://www.eeworld.com.cn/mp/Intel/a55592.jspx 发布时间: 2018-11-08



STM32----FLASH掉电保存动态平衡方案

。原理:一、Flash擦写寿命       根据网上查阅的资料,单个NOR Flash地址的寿命,是受擦写次数的影响的。再具体一点,单个地址上的每个位,分别独立。比如0x08011000这个地址,共有8个bit,假设我一直令这个地址的数据循环为0x01与0x00。那么bit0位就会一直被擦写。循环几万次后bit0位就有可能损坏而不能擦写。但是bit0损坏并不...

http://www.eeworld.com.cn/mcu/2018/ic-news070140141.html 发布时间: 2018-07-01



国产低功耗MCU做的比较好的公司有哪些?

 Sleep模式下带LCD显示:6uA  DeepSleep模式,RTC走时+24KB RAM保持+CPU内核保持:1.2uA  RTC Backup模式,RTC走时+512字节备份寄存器,0.9uA  [b]存储器[/b]  128/256/512KB Flash空间  Flash擦写寿命...

http://bbs.eeworld.com.cn/thread-649210-1-1.html 发布时间: 2018-06-28



西数96层3D闪存已发货:QLC SSD大势所趋

,容量可达1Tb(128GB)。西数和东芝去年还曾经宣布过单Die容量768Gb(96GB)的BiCS3 64层堆叠3D QLC闪存颗粒,很可能会在96层QLC之前上市。QLC闪存每单元可以保存4比特数据,相比TLC又多了三分之一,既有利于做大容量,也有利于降低成本,必然是闪存厂商们未来的重点,哪怕它寿命和性能继续大幅度下滑。美光此前已经出货了第一款基于QLC闪存的固态硬盘,擦写寿命只有区区1000次...
关键词: 3D闪存

http://www.eeworld.com.cn/manufacture/article_2018053025933.html 发布时间: 2018-05-30



单片机片内存储器烧写

程序存储器。当片内的Flash存储器满足要求时,不必扩展外部程序存储器。下面讨论如何把已经调试完毕的程序写入AT89S51单片机中的片内Flash存储器。 AT89S51单片机片内4KB的Flash存储器的特点:可擦写寿命10,000次数据保存时间10年最大读取时间150ns,页编程时间10ns具有3级加密算法,使得AT89S系列单片机的解密变得不可能,程序的加密性大大加强AT89S51出厂时...

http://www.eeworld.com.cn/mcu/article_2018050539003.html 发布时间: 2018-05-05



自带“空调”电子元件可耐340℃高温

。工程师们往往依赖于冷却系统来进行降温,这样会大幅增加成本和能耗,降低可靠性。由于具备超小的尺寸,极快的擦写速度,超高的擦写寿命,多阻态开关特性和良好的CMOS兼容性等优势,忆阻器被业内视为未来存储技术和未来人工智能(神经形态计算)硬件技术的重要候选者。目前,这项研究已申请国内外专利。...

http://www.eeworld.com.cn/afdz/article_2018022711601.html 发布时间: 2018-02-27



提高MSP430G系列单片机的Flash 擦写寿命的软件流程

易失性数据,但是由于Flash 与EEPROM 在擦写寿命上存在一定差距,所以在实际应用中,这种应用方式并不能够满足所有客户的需求。本应用笔记介绍了使用代码区域Flash 来模拟EEPROM,通过一定的软件处理算法,可以大大增加数据存储周期的一种方法。本文给出了实现上述功能的软件流程。    1. 嵌入式Flash 存储介质与EEPROM 的主要特性对比 ...

http://www.eeworld.com.cn/mcu/article_2018021337774.html 发布时间: 2018-02-13



复旦微电子SPI NOR Flash足量现货!麻麻再也不担心缺货啦~

:2.3V-3.6V>>高可靠性:数据保持 时间20年,擦写寿命10万次>>小型化封装:SOP8(208mil),SOP8(150mil),TDFN8(2*3mm)>>安全特性:硬件写保护,4*256-Byte安全扇区,64bit UID点击即可购买,买买买起来!Features16Mbitof Flash memory–   512uniform sectors...

http://www.eeworld.com.cn/mp/CEC/a25667.jspx 发布时间: 2018-02-02



TI--M4内部EEPROM详解

; EEPROMRead(pulRead, 0x400, sizeof(pulRead));        while(1)     {     } TI--M4内部EEPROM详解 M4内部的EEPROM是不是DataFlash?:time:它的擦写寿命和flash一样吗?是不是相当于把flash分了一个区,做非易失性数据...

http://bbs.eeworld.com.cn/thread-611840-1-1.html 发布时间: 2018-01-28



NOR Flash市场缺货?融创芯城签约博雅科技,找料不难!

优势明显。 1 芯片优势 >>宽工作电压:2.7V-3.6V >>高可靠性:数据保持 时间20年,擦写寿命10万次 >>小型化封装:SOP8(208mil),SOP8(150mil),USON8(2*3mm) >>安全特性:硬件写保护,3*256-Byte安全扇区,64bit UID >>差异化:原厂支持提供差异化功能定制开发...

http://bbs.eeworld.com.cn/thread-610202-1-1.html 发布时间: 2018-01-18



msp430提高flash使用寿命的例程代码

又看到一篇TI的文章,关于《 提高 MSP430G 系列单片机的 Flash 擦写寿命的方法》 的 ,不知道哪里能找到相关的代码呢? msp430提高flash使用寿命的例程代码 其实可以外扩个256K的EEPROM [quote][size=2][url=forum.php?mod=redirect&goto=findpost&pid=2308121&ptid=609504][color...

http://bbs.eeworld.com.cn/thread-609504-1-1.html 发布时间: 2018-01-12



ARM平台数据突然丢失的原因是什么

擦写寿命达10万次,EMMC的块擦写最高也会有1万次;同理,EEPROM、SD卡、CF卡、U盘、Flash硬盘等存储介质在都存在写寿命的问题。在文件系统向写数据的底层存储器块写数据时,常规会先将块里的数据读出来,擦除块干净后,将需要写入的数据和之前读出来的块数据一起在回写到存储器里面去,如果文件系统写平衡没有处理好,特别是要求1分钟以内要记录一次数据这样频繁的擦写块操作,就有可能将Nand-Flash...

http://www.eeworld.com.cn/qrs/article_2017123042940.html 发布时间: 2017-12-30



ARM平台数据为何会莫名其妙丢失

。器件数据手册中通常描述Nand-Flash的块擦写寿命达10万次,EMMC的块擦写最高也会有1万次;同理,EEPROM、SD卡、CF卡、U盘、Flash硬盘等存储介质在都存在写寿命的问题。在文件系统向写数据的底层存储器块写数据时,常规会先将块里的数据读出来,擦除块干净后,将需要写入的数据和之前读出来的块数据一起在回写到存储器里面去,如果文件系统写平衡没有处理好,特别是要求1分钟以内要记录一次数据...
关键词: ARM

http://www.eeworld.com.cn/qrs/article_2017122842790.html 发布时间: 2017-12-28



嵌入式存储器的前世今生,作为电子工程师的你知道吗?

的30倍,同时其擦写寿命也是闪存的10倍。PRAM的最大优点是高效能和低耗电。  RRAM具有与CMOS工艺兼容性好、低功耗、易于随先进工艺微缩等优点受到广泛关注。总结这几种新式存储器优缺点如下表所示。    表一 几种存储器性能对比  新型存储器挑战  FRAM目前作为新型存储器的主要问题是铁电薄膜材料。未来发展需要解决的主要难题:一是采用3D结构缩小单元面积提高集成度;二是提高铁电薄膜特性...
关键词: 嵌入式存储器

http://www.eeworld.com.cn/qrs/article_2017122142547.html 发布时间: 2017-12-21



华力与高云共同发布基于赛普拉斯 SONOS 技术的55纳米低功耗闪存产品—低密度非易失性 FPGA 产品

膜不同,SONOS 技术只需要在原有 CMOS 工艺上增加 3 层。SONOS 本身具有高良率和极佳的可靠性、10 年的数据保持、20 万次编程/擦写寿命,以及强大的抗软错误能力。赛普拉斯已经展示了将 SONOS 延伸到 40 纳米和 28 纳米节点的能力,以加速未来 IP 的开发。相关阅读:赛普拉斯与上海华力微电子共同宣布基于SONOS技术的55纳米低功耗闪存产品 进入试产阶段长按下方的二维码...

http://www.eeworld.com.cn/mp/CY/a26141.jspx 发布时间: 2017-12-12



HardFault_Handler异常

是用在一款:可导出数据至U盘的温湿度计上面的,温湿度数据存储在25Q16上,而我的25Q16数据存储是按照4096Byte为存储单元存的,因此有一个读取25Q16的4096字节的数组。还有一个1024Byte的数组是用作CH376的写入缓存,写入数据累积满整数个扇区(512字节的整数倍)再写入CH376可以大幅提升U盘的读写效率以及节约擦写寿命。 [quote][size=2][url...

http://bbs.eeworld.com.cn/thread-576164-1-1.html 发布时间: 2017-11-07



SD卡写入寿命有多久?

=2265022&ptid=573612][color=#999999]sanhuasr 发表于 2017-11-17 20:48[/color][/url][/size] 是说同一个扇区可擦写次数,SD卡算闪存吗?不考虑振动、温度等外界因素,[/quote] SD卡就是闪存做的。 正如“白丁”版主所说,nand flash有SLC MLC和TLC之分,擦写寿命就不一样了。SLC (单层单元...

http://bbs.eeworld.com.cn/thread-573612-1-1.html 发布时间: 2017-10-31



STM32学习014_STC89C51RC

(6T模式含义--6个时钟周期就是一个机器周期)。STC89C52RC是宏晶公司的增强型MCS-51单片机,与Atmel公司的AT89C52相比,有以下优点:支持STC的2线制下载方式,下载程序更方便支持6T模式(在6T模式下,6个时钟周期就是一个机器周期)片内集成了4kB容量的EEPROM带有P4口,具有更多的I/O程序存储器拥有更多的擦写寿命(STC标称可以擦写10万次,Atmel标称可以擦写...
关键词: STM32 STC89C51RC

http://www.eeworld.com.cn/mcu/article_2017102635343.html 发布时间: 2017-10-26



关于2017年存储缺货的原因,已知最深入的解读

,其上所存储的资料也会完全消失(图3)。图3 NAND需要一定厚度的绝缘体来确保抹写的正常及预防讯号干扰,但制程的微缩使得绝缘层过薄,导致NAND的寿命缩减。资料来源:文档之家随着制程的微缩,绝缘层的厚度也会跟着被「微缩」,3xnm MLC的CELL擦写寿命可能有五千次左右,但微缩到1xnm,可能就剩下不到一千次,现在移动设备和低价主流SSD存储所使用的TLC NAND,因为原始结构设计中的绝缘层...

http://www.eeworld.com.cn/mp/null/a50154.jspx 发布时间: 2017-10-18



2017年内存市场波涛汹涌,缺货疑云持续笼罩整体供应链

死亡,其上所存储的数据也会完全消失(图3)。图3 NAND需要一定厚度的绝缘体来确保抹写的正常及预防讯号干扰,但制程的微缩使得绝缘层过薄,导致NAND的寿命缩减。数据源:文档之家随着制程的微缩,绝缘层的厚度也会跟着被「微缩」,3xnm MLC的CELL擦写寿命可能有五千次左右,但微缩到1xnm,可能就剩下不到一千次,现在移动设备和低价主流SSD存储所使用的TLC NAND, 因为原始结构设计中...
关键词: 供应链

http://www.eeworld.com.cn/xfdz/article_2017101774261.html 发布时间: 2017-10-17




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