单片机片内存储器烧写(ROM编程)

AT89S51单片机中的片内Flash存储器。AT89S51单片机片内4KB的Flash存储器的特点:可擦写寿命10,000次数据保存时间10年最大读取时间150ns,页编程时间10ns具有3级加密算法,使得AT89S系列单片机的解密变得不可能,程序的加密性大大加强AT89S51出厂时,Flash存储器处于全部空白状态(各单元均为FFH),可直接进行编程。若不全为空白状态(单元中有不是FFH的),应首...

http://www.eeworld.com.cn/mcu/2018/ic-news112142075.html 发布时间: 2018-11-21



SSD价格松动,但固态硬盘真的能解决一切吗?

还有两大硬伤:1.稳定性。SSD固件BUG带来的暴击,想必不少人有过切肤之痛。而且固态硬盘还有断电就丢数据的特质,是不是也让你在每一次蓝屏和非正常关机时,都想吐血数升。2.擦写寿命。目前市面上的固态盘多为TLC颗粒,擦写次数在2000次左右,仅有三五年的使用寿命。一旦寿终正寝,存于其中的数据则几乎不能找回。而机械硬盘则没有这方面的顾虑。正是因为SSD在容量和稳定性等方面的缺憾,使得目前大部分人...

http://www.eeworld.com.cn/mp/Intel/a55592.jspx 发布时间: 2018-11-08



STM32----FLASH掉电保存动态平衡方案

。原理:一、Flash擦写寿命       根据网上查阅的资料,单个NOR Flash地址的寿命,是受擦写次数的影响的。再具体一点,单个地址上的每个位,分别独立。比如0x08011000这个地址,共有8个bit,假设我一直令这个地址的数据循环为0x01与0x00。那么bit0位就会一直被擦写。循环几万次后bit0位就有可能损坏而不能擦写。但是bit0损坏并不...

http://www.eeworld.com.cn/mcu/2018/ic-news070140141.html 发布时间: 2018-07-01



单片机片内存储器烧写

程序存储器。当片内的Flash存储器满足要求时,不必扩展外部程序存储器。下面讨论如何把已经调试完毕的程序写入AT89S51单片机中的片内Flash存储器。 AT89S51单片机片内4KB的Flash存储器的特点:可擦写寿命10,000次数据保存时间10年最大读取时间150ns,页编程时间10ns具有3级加密算法,使得AT89S系列单片机的解密变得不可能,程序的加密性大大加强AT89S51出厂时...

http://www.eeworld.com.cn/mcu/article_2018050539003.html 发布时间: 2018-05-05



自带“空调”电子元件可耐340℃高温

。工程师们往往依赖于冷却系统来进行降温,这样会大幅增加成本和能耗,降低可靠性。由于具备超小的尺寸,极快的擦写速度,超高的擦写寿命,多阻态开关特性和良好的CMOS兼容性等优势,忆阻器被业内视为未来存储技术和未来人工智能(神经形态计算)硬件技术的重要候选者。目前,这项研究已申请国内外专利。...

http://www.eeworld.com.cn/afdz/article_2018022711601.html 发布时间: 2018-02-27



提高MSP430G系列单片机的Flash 擦写寿命的软件流程

易失性数据,但是由于Flash 与EEPROM 在擦写寿命上存在一定差距,所以在实际应用中,这种应用方式并不能够满足所有客户的需求。本应用笔记介绍了使用代码区域Flash 来模拟EEPROM,通过一定的软件处理算法,可以大大增加数据存储周期的一种方法。本文给出了实现上述功能的软件流程。    1. 嵌入式Flash 存储介质与EEPROM 的主要特性对比 ...

http://www.eeworld.com.cn/mcu/article_2018021337774.html 发布时间: 2018-02-13



复旦微电子SPI NOR Flash足量现货!麻麻再也不担心缺货啦~

:2.3V-3.6V>>高可靠性:数据保持 时间20年,擦写寿命10万次>>小型化封装:SOP8(208mil),SOP8(150mil),TDFN8(2*3mm)>>安全特性:硬件写保护,4*256-Byte安全扇区,64bit UID点击即可购买,买买买起来!Features16Mbitof Flash memory–   512uniform sectors...

http://www.eeworld.com.cn/mp/CEC/a25667.jspx 发布时间: 2018-02-02



华力与高云共同发布基于赛普拉斯 SONOS 技术的55纳米低功耗闪存产品—低密度非易失性 FPGA 产品

膜不同,SONOS 技术只需要在原有 CMOS 工艺上增加 3 层。SONOS 本身具有高良率和极佳的可靠性、10 年的数据保持、20 万次编程/擦写寿命,以及强大的抗软错误能力。赛普拉斯已经展示了将 SONOS 延伸到 40 纳米和 28 纳米节点的能力,以加速未来 IP 的开发。相关阅读:赛普拉斯与上海华力微电子共同宣布基于SONOS技术的55纳米低功耗闪存产品 进入试产阶段长按下方的二维码...

http://www.eeworld.com.cn/mp/CY/a26141.jspx 发布时间: 2017-12-12



HardFault_Handler异常

是用在一款:可导出数据至U盘的温湿度计上面的,温湿度数据存储在25Q16上,而我的25Q16数据存储是按照4096Byte为存储单元存的,因此有一个读取25Q16的4096字节的数组。还有一个1024Byte的数组是用作CH376的写入缓存,写入数据累积满整数个扇区(512字节的整数倍)再写入CH376可以大幅提升U盘的读写效率以及节约擦写寿命。 [quote][size=2][url...

http://bbs.eeworld.com.cn/thread-576164-1-1.html 发布时间: 2017-11-07



STM32学习014_STC89C51RC

(6T模式含义--6个时钟周期就是一个机器周期)。STC89C52RC是宏晶公司的增强型MCS-51单片机,与Atmel公司的AT89C52相比,有以下优点:支持STC的2线制下载方式,下载程序更方便支持6T模式(在6T模式下,6个时钟周期就是一个机器周期)片内集成了4kB容量的EEPROM带有P4口,具有更多的I/O程序存储器拥有更多的擦写寿命(STC标称可以擦写10万次,Atmel标称可以擦写...
关键词: STM32 STC89C51RC

http://www.eeworld.com.cn/mcu/article_2017102635343.html 发布时间: 2017-10-26



关于2017年存储缺货的原因,已知最深入的解读

,其上所存储的资料也会完全消失(图3)。图3 NAND需要一定厚度的绝缘体来确保抹写的正常及预防讯号干扰,但制程的微缩使得绝缘层过薄,导致NAND的寿命缩减。资料来源:文档之家随着制程的微缩,绝缘层的厚度也会跟着被「微缩」,3xnm MLC的CELL擦写寿命可能有五千次左右,但微缩到1xnm,可能就剩下不到一千次,现在移动设备和低价主流SSD存储所使用的TLC NAND,因为原始结构设计中的绝缘层...

http://www.eeworld.com.cn/mp/null/a50154.jspx 发布时间: 2017-10-18



2017年内存市场波涛汹涌,缺货疑云持续笼罩整体供应链

死亡,其上所存储的数据也会完全消失(图3)。图3 NAND需要一定厚度的绝缘体来确保抹写的正常及预防讯号干扰,但制程的微缩使得绝缘层过薄,导致NAND的寿命缩减。数据源:文档之家随着制程的微缩,绝缘层的厚度也会跟着被「微缩」,3xnm MLC的CELL擦写寿命可能有五千次左右,但微缩到1xnm,可能就剩下不到一千次,现在移动设备和低价主流SSD存储所使用的TLC NAND, 因为原始结构设计中...
关键词: 供应链

http://www.eeworld.com.cn/xfdz/article_2017101774261.html 发布时间: 2017-10-17



赞!这篇把存储器缺货现象及原因分析的简直没治了

,其上所存储的资料也会完全消失(图3)。图3 NAND需要一定厚度的绝缘体来确保抹写的正常及预防讯号干扰,但制程的微缩使得绝缘层过薄,导致NAND的寿命缩减。资料来源:文档之家随着制程的微缩,绝缘层的厚度也会跟着被「微缩」,3xnm MLC的CELL擦写寿命可能有五千次左右,但微缩到1xnm,可能就剩下不到一千次,现在移动设备和低价主流SSD存储所使用的TLC NAND,因为原始结构设计中的绝缘层...

http://www.eeworld.com.cn/mp/XSY/a47715.jspx 发布时间: 2017-10-16



关于存储缺货的原因,有史以来最深入的解读

,代表这个存储CELL死亡,其上所存储的资料也会完全消失(图3)。图3 NAND需要一定厚度的绝缘体来确保抹写的正常及预防讯号干扰,但制程的微缩使得绝缘层过薄,导致NAND的寿命缩减。资料来源:文档之家随着制程的微缩,绝缘层的厚度也会跟着被「微缩」,3xnm MLC的CELL擦写寿命可能有五千次左右,但微缩到1xnm,可能就剩下不到一千次,现在移动设备和低价主流SSD存储所使用的TLC NAND...

http://www.eeworld.com.cn/mp/Icbank/a41095.jspx 发布时间: 2017-10-16



新品驾到| 复旦微电子SPI NOR Flash闪亮登场!麻麻再不也用紧张缺货啦~

;宽工作电压:2.3V-3.6V>>高可靠性:数据保持 时间20年,擦写寿命10万次>>小型化封装:SOP8(208mil),SOP8(150mil),TDFN8(2*3mm)>>安全特性:硬件写保护,4*256-Byte安全扇区,64bit UIDFeatures16Mbitof Flash memory–   512uniform sectors with...

http://www.eeworld.com.cn/mp/CEC/a25693.jspx 发布时间: 2017-09-01



赛普拉斯与上海华力微电子共同宣布基于SONOS技术的55纳米低功耗闪存产品 进入试产阶段

的可靠性、10年的数据保持、20万次编程/擦写寿命,以及强大的抗软错误能力。赛普拉斯已经展示了将SONOS延伸到40纳米和28纳米节点的能力,以加速未来IP的开发。“ 物联网应用对低成本、低功耗嵌入式闪存的需求不断提升,我们非常高兴能够达到这个里程碑,同时我们也希望能够实现迅速量产的目标,以满足客户的需求。赛普拉斯SONOS嵌入式非易失性存储器技术具备高性价比和高良率的特性,其可靠性和高效性对于量产...

http://www.eeworld.com.cn/mp/CY/a26292.jspx 发布时间: 2017-04-18



AVR 单片机与GCC 编程使用方法

,I/O 寄存器占用接下来的64 个地址。从0X0060 开始为内部SRAM。外部SRAM 被编址到内部SRAM 后。 AVR 单片机的内部有64~4K 的EEPROM 数据存储器,它们被独立编址,按字节组织。擦写寿命可达100,000 次。 2.2 I/O 寄存器操作 I/O 专用寄存器(SFR)被编址到与内部SRAM 同一个地址空间,为此对它的操作和SRAM 变量操作类似。 SFR 定义...
关键词: AVR 单片机 GCC

http://www.eeworld.com.cn/mcu/article_2016102130683.html 发布时间: 2016-10-21



SST25VF080B SPI接口FLASH STM32驱动

所有的FLASHA 都一样只能从1变0,要想从0变1 只有擦除一个页扇, SST25VF080B 最小可以擦除4KB的页 速度也不错 50MHz 容量1MB 挺够用的 10万次的擦写寿命。最低2.7V 就可正常工作。 Flexible Erase Capability – Uniform 4 KByte sectors – Uniform 32...

http://www.eeworld.com.cn/mcu/article_2016100430025.html 发布时间: 2016-10-04



盘点上周在台北的那场惊艳聚会...

客户需求定制高性能芯片。” (Marvell SSD事业单位技术行销总监 Sheng Huang)Marvell已与众多厂家展开广泛深入合作,并于近期推出多款SSD新品,如与LiteOn合作推出的浦科特M7V,使用Marvell 88SS1074主控,应用LDPC纠错后闪存擦写寿命达到2000次。同时LiteOn使用Marvell 88SS1093主控设计的多款SSD,CX2用于OEM,EP2用于...

http://www.eeworld.com.cn/mp/Marvell/a12012.jspx 发布时间: 2016-06-08



有人问了你想问的——KS22 全知道

了所有外设的驱动,CMSIS DSP库,USB stack,应用范例等等。18flash擦写寿命有多少?模拟为eeprom是否合适?Flash的擦写寿命为10万次,可以模拟为eeprom。19IO驱动电流多少?有8个high drive pin可提供20mA电流。20KS22系列集成的1个LPUART和以前的UART有什么区别?可以在低功耗模式下工作,无需CPU介入。一般UART在低功耗模式下需要...

http://www.eeworld.com.cn/mp/NXP/a5060.jspx 发布时间: 2016-05-06




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