提高MSP430G系列单片机的Flash 擦写寿命的软件流程

易失性数据,但是由于Flash 与EEPROM 在擦写寿命上存在一定差距,所以在实际应用中,这种应用方式并不能够满足所有客户的需求。本应用笔记介绍了使用代码区域Flash 来模拟EEPROM,通过一定的软件处理算法,可以大大增加数据存储周期的一种方法。本文给出了实现上述功能的软件流程。    1. 嵌入式Flash 存储介质与EEPROM 的主要特性对比 ...

http://www.eeworld.com.cn/mcu/article_2018021337774.html 发布时间: 2018-02-13



NOR Flash市场缺货?融创芯城签约博雅科技,找料不难!

优势明显。 1 芯片优势 >>宽工作电压:2.7V-3.6V >>高可靠性:数据保持 时间20年,擦写寿命10万次 >>小型化封装:SOP8(208mil),SOP8(150mil),USON8(2*3mm) >>安全特性:硬件写保护,3*256-Byte安全扇区,64bit UID >>差异化:原厂支持提供差异化功能定制开发...

http://bbs.eeworld.com.cn/thread-610202-1-1.html 发布时间: 2018-01-18



msp430提高flash使用寿命的例程代码

又看到一篇TI的文章,关于《 提高 MSP430G 系列单片机的 Flash 擦写寿命的方法》 的 ,不知道哪里能找到相关的代码呢? msp430提高flash使用寿命的例程代码 其实可以外扩个256K的EEPROM [quote][size=2][url=forum.php?mod=redirect&goto=findpost&pid=2308121&ptid=609504][color...

http://bbs.eeworld.com.cn/thread-609504-1-1.html 发布时间: 2018-01-12



ARM平台数据突然丢失的原因是什么

擦写寿命达10万次,EMMC的块擦写最高也会有1万次;同理,EEPROM、SD卡、CF卡、U盘、Flash硬盘等存储介质在都存在写寿命的问题。在文件系统向写数据的底层存储器块写数据时,常规会先将块里的数据读出来,擦除块干净后,将需要写入的数据和之前读出来的块数据一起在回写到存储器里面去,如果文件系统写平衡没有处理好,特别是要求1分钟以内要记录一次数据这样频繁的擦写块操作,就有可能将Nand-Flash...

http://www.eeworld.com.cn/qrs/article_2017123042940.html 发布时间: 2017-12-30



ARM平台数据为何会莫名其妙丢失

。器件数据手册中通常描述Nand-Flash的块擦写寿命达10万次,EMMC的块擦写最高也会有1万次;同理,EEPROM、SD卡、CF卡、U盘、Flash硬盘等存储介质在都存在写寿命的问题。在文件系统向写数据的底层存储器块写数据时,常规会先将块里的数据读出来,擦除块干净后,将需要写入的数据和之前读出来的块数据一起在回写到存储器里面去,如果文件系统写平衡没有处理好,特别是要求1分钟以内要记录一次数据...
关键词: ARM

http://www.eeworld.com.cn/qrs/article_2017122842790.html 发布时间: 2017-12-28



嵌入式存储器的前世今生,作为电子工程师的你知道吗?

的30倍,同时其擦写寿命也是闪存的10倍。PRAM的最大优点是高效能和低耗电。  RRAM具有与CMOS工艺兼容性好、低功耗、易于随先进工艺微缩等优点受到广泛关注。总结这几种新式存储器优缺点如下表所示。    表一 几种存储器性能对比  新型存储器挑战  FRAM目前作为新型存储器的主要问题是铁电薄膜材料。未来发展需要解决的主要难题:一是采用3D结构缩小单元面积提高集成度;二是提高铁电薄膜特性...
关键词: 嵌入式存储器

http://www.eeworld.com.cn/qrs/article_2017122142547.html 发布时间: 2017-12-21



STM32学习014_STC89C51RC

(6T模式含义--6个时钟周期就是一个机器周期)。STC89C52RC是宏晶公司的增强型MCS-51单片机,与Atmel公司的AT89C52相比,有以下优点:支持STC的2线制下载方式,下载程序更方便支持6T模式(在6T模式下,6个时钟周期就是一个机器周期)片内集成了4kB容量的EEPROM带有P4口,具有更多的I/O程序存储器拥有更多的擦写寿命(STC标称可以擦写10万次,Atmel标称可以擦写...
关键词: STM32 STC89C51RC

http://www.eeworld.com.cn/mcu/article_2017102635343.html 发布时间: 2017-10-26



2017年内存市场波涛汹涌,缺货疑云持续笼罩整体供应链

死亡,其上所存储的数据也会完全消失(图3)。图3 NAND需要一定厚度的绝缘体来确保抹写的正常及预防讯号干扰,但制程的微缩使得绝缘层过薄,导致NAND的寿命缩减。数据源:文档之家随着制程的微缩,绝缘层的厚度也会跟着被「微缩」,3xnm MLC的CELL擦写寿命可能有五千次左右,但微缩到1xnm,可能就剩下不到一千次,现在移动设备和低价主流SSD存储所使用的TLC NAND, 因为原始结构设计中...
关键词: 供应链

http://www.eeworld.com.cn/xfdz/article_2017101774261.html 发布时间: 2017-10-17



嵌入式存储器的过去与现在

;图五 RRAM器件结构图哪种存储会是未来的选择?FRAM的读写速度主要取决于铁电材料的极化反转特性,根据目前理论极化反转速度可达到皮秒量级。MRAM利用磁性存储数据,容量成本低,具有低功耗、高速存取、无限次读写、抗辐射能力强等优点,在军事、航空航天、移动通讯等领域的应用有很大优势。PRAM被认为是FLASH和DRAM的替代者,读写速度是普通闪存的30倍,同时其擦写寿命也是闪存的10倍。PRAM...

http://www.eeworld.com.cn/qrs/article_2017062235347.html 发布时间: 2017-06-22



AVR 单片机与GCC 编程使用方法

,I/O 寄存器占用接下来的64 个地址。从0X0060 开始为内部SRAM。外部SRAM 被编址到内部SRAM 后。 AVR 单片机的内部有64~4K 的EEPROM 数据存储器,它们被独立编址,按字节组织。擦写寿命可达100,000 次。 2.2 I/O 寄存器操作 I/O 专用寄存器(SFR)被编址到与内部SRAM 同一个地址空间,为此对它的操作和SRAM 变量操作类似。 SFR 定义...
关键词: AVR 单片机 GCC

http://www.eeworld.com.cn/mcu/article_2016102130683.html 发布时间: 2016-10-21



SST25VF080B SPI接口FLASH STM32驱动

所有的FLASHA 都一样只能从1变0,要想从0变1 只有擦除一个页扇, SST25VF080B 最小可以擦除4KB的页 速度也不错 50MHz 容量1MB 挺够用的 10万次的擦写寿命。最低2.7V 就可正常工作。 Flexible Erase Capability – Uniform 4 KByte sectors – Uniform 32...

http://www.eeworld.com.cn/mcu/article_2016100430025.html 发布时间: 2016-10-04



STM32 使用 Flash 存储数据时的一种管理办法

; 最后就是 flash 的擦写次数问题了,最少10k次的擦写寿命,对于某些需要频繁更新的内容还是太少了,比EEPROM 通常的 100k 少了一个数量级,而且即使是改动一个变量,也必须首先擦除整个 flash 块,更加速了 flash 的消耗。但是 stm32 的 flash 容量还是不错的,动辄 256Kbytes,所以我们可以用容量换寿命, 具体思路就是不要在同一个地址重复擦写,写的时候不停...

http://www.eeworld.com.cn/mcu/article_2016082628867.html 发布时间: 2016-08-26



AVR 单片机与GCC 编程之存储器操作

组织 32 个通用寄存器被编址到最前,I/O 寄存器占用接下来的64 个地址。从0X0060 开始为内部SRAM。外部SRAM 被编址到内部SRAM 后。 AVR 单片机的内部有64~4K 的EEPROM 数据存储器,它们被独立编址,按字节组织。擦写寿命可达100,000 次。 2.2 I/O 寄存器操作 I/O 专用寄存器(SFR)被编址...

http://www.eeworld.com.cn/mcu/article_2016053026627.html 发布时间: 2016-05-30



退货率高维修贵 细数iPhone 6s七宗罪

,不过iPhone 6s内存的供应商为SK海力士,而iPhone 6s Plus则为三星和美光(Micron)。   机身存储方面,新一代iPhone的供应商为海力士和东芝。而且据说16GB是MLC,128GB为TLC。TLC速度慢寿命短,约500-1000次擦写寿命,是性能最差的。但用户也虚无担心,因为两者对于手机上的数据读写都不形成瓶颈,所造成的差异是微乎其微的。而iPhone 6s/6s Plus...
关键词: 退货率高 iPhone 6s

http://www.eeworld.com.cn/xfdz/2015/1023/article_45129.html 发布时间: 2015-10-23



有源电子标签低功耗防冲突协议设计

、性能和功能等方面都有明显的优势。   ATmega48是一款高性能、低功耗的8位AVR微处理器。其主要性能指标如下:   ◆先进的RISC结构;   ◆4 KB的系统内可编程Flash;   ◆256字节的EEPROM擦写寿命为100 000次;   ◆工作电压为1.8~5.5 V;   ◆工作温度为-40~85℃;   ◆极低功耗(正常模式时1 MHz、1.8 V下为300&mu...

http://www.eeworld.com.cn/mcu/2015/0917/article_22294.html 发布时间: 2015-09-17



AVR 单片机与GCC 编程----之二

开始为内部SRAM。外部SRAM 被编址到内部SRAM 后。   AVR 单片机的内部有64~4K 的EEPROM 数据存储器,它们被独立编址,按字节组织。擦写寿命可达100,000 次。   2.2 I/O 寄存器操作   I/O 专用寄存器(SFR)被编址到与内部SRAM 同一个地址空间,为此对它的操作和SRAM 变量操作类似。 SFR 定义文件...
关键词: AVR 单片机 GCC 编程

http://www.eeworld.com.cn/mcu/2015/0413/article_19338.html 发布时间: 2015-04-13



提高MSP430G系列单片机的Flash 擦写寿命的方法

数据,但是由于Flash 与EEPROM 在擦写寿命上存在一定差距,所以在实际应用中,这种应用方式并不能够满足所有客户的需求。本应用笔记介绍了使用代码区域Flash 来模拟EEPROM,通过一定的软件处理算法,可以大大增加数据存储周期的一种方法。本文给出了实现上述功能的软件流程。 1. 嵌入式Flash 存储介质与EEPROM 的主要特性对比 电可擦除和编程只读存储器(EEPROM...

http://www.eeworld.com.cn/mcu/2015/0403/article_19154.html 发布时间: 2015-04-03



SLC、MLC、TLC闪存芯片的区别

),约10万次擦写寿命 MLC = Multi-Level Cell,即2bit/cell,速度一般寿命一般,价格一般,约3000---10000次擦写寿命 TLC = Trinary-Level Cell,即3bit/cell,也有Flash厂家叫8LC,速度慢寿命短,价格便宜,约500次擦写寿命,目前还没有厂家能做到1000次。 目前,安德旺科技生产的指纹U盘产品中采用的闪存芯片都是三星...
关键词: SLC MLC TLC 闪存芯片

http://www.eeworld.com.cn/mcu/2015/0331/article_19081.html 发布时间: 2015-03-31



基于PIC的太阳能与市电互补照明系统控制器设计

的实时性比较高,即要求系统的响应速度快。故设计中选用了内部含有A/D模块、具有14位指令宽度的中档PIC单片机16F877A,属PIC中级产品,在保持低价格的前提下具有很高的性能。 本文设计的控制器主要用到PIC16F877A的如下一些资源: (1)16  KB的系统内可编程Flash,1  KB片内SRAM,10  000次擦写寿命。程序存储空间足够大,不需要额外...

http://www.eeworld.com.cn/mcu/2015/0206/article_18418.html 发布时间: 2015-02-06



关于EEPOM负载均衡想法实现

大家都知道EEPOM FLASH是有擦写寿命的   平时我们的单片机总是会用到其中一小部分 若是这一小部分都擦写到死 那么就会造成机器使用寿命的衰减       我就琢磨能不能平衡擦写或者有序擦写EEPOM中的每一部分   下面的代码解决了我的疑问       void...
关键词: EEPOM 负载均衡

http://www.eeworld.com.cn/mcu/2015/0122/article_18159.html 发布时间: 2015-01-22




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